SJ 20176-1992 半导体分立器件 3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范.pdf

标准号：SJ 20176-1992
实施状态：现行
中文名称：半导体分立器件 3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范
英文名称：Semiconductor discrete device Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor of types 3DG3499 and 3DG3440
组织分类：SJ
中标分类：L40
标准分类：QT
发布日期：1992-11-19
实施日期：1993-05-01
被替代标准：
代替标准：
归口单位：中国电子技术标准化研究所
起草单位：中国电子技术标准化研究所
范围：本规范规定了3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管的详细要求。该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
文件格式：PDF
文件大小：1.75MB
文件页数：12
（以上信息更新时间为：2019-05-07）

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