SJ 20013-1992 半导体分立器件 GP,GT和GCT级 CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管.pdf

标准号：SJ 20013-1992
实施状态：现行
中文名称：半导体分立器件 GP,GT和GCT级 CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管
英文名称：Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon N-channel depletion mode field-effect transistor of types CS10 GP, GT and GCT classes
发布日期：1992-02-01
实施日期：1992-05-01
被替代标准：
代替标准：
归口单位：中国电子技术标准化研究所
起草单位：中国电子技术标准化研究所
标准简介：本规范规定了CS10型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提使产品保证的三个等级(GP、GT和GCT)。
文件格式：PDF
文件大小：1.57MB
文件页数：10
（以上信息更新时间为：2019-05-07）

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