IEC 60747-6-3-1993 半导体器件 分立器件 第6部分_晶闸管 第3节_电流在100A以上的环境和外壳额定的反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范.pdf

标准号：IEC 60747-6-3-1993
实施状态：现行
中文名称：半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3节:电流在100A以上的环境和外壳额定的反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
英文名称：Semiconductor devices; discrete devices; part 6: thyristors: section 3: blank detail specification for reverse blocking triode thyristors, ambient and case-rated, for currents greater than 100 A
发布日期：1993-11
代替标准：IEC/DIS 47(CO)1305-1992
采用标准：BS QC 750113-1994,IDT;GB/T 13151-2005,IDT
起草单位：IEC/TC 47
标准简介：Defines, in compliance with the IEC Quality Assessment System for Electronic Components, information to be given for: mechanical description, short description, categories of assessed quality, limiting values, electrical characteristics, marking, orderin
文件格式：PDF
文件大小：1.22MB
文件页数：36
（以上信息更新时间为：2019-11-25）



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