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YS_T 23-2016 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法.pdf

 

YS/T 23-2016 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法:
标准号:YS/T 23-2016
实施状态:现行
中文名称:硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法
英文名称:Test method for thickness of epitaxial layers. Stacking fault size
组织分类:YS
中标分类:H21
ICS分类:77.040
标准分类:QT
发布日期:2016-04-05
实施日期:2016-09-01
代替标准:YS/T 23-1992
归口单位:全国有色金属标准化技术委员会
起草单位:南京国盛电子有限公司
范围:本标准规定了利用堆垛层错尺寸法测量硅外延层厚度的方法。本标准适用于在<111>、<100>、和<110>晶向的硅单晶衬底上生长的2μm~120μm硅外延层厚度的测量。
文件格式:PDF
文件大小:455.71KB
文件页数:8
(以上信息更新时间为:2019-03-27)

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