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SJ_T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分:反向电压和反向电流.pdf

 

SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分:反向电压和反向电流:
标准号:SJ/T 2658.3-2015
实施状态:现行
中文名称:半导体红外发射二极管测量方法 第3部分:反向电压和反向电流
英文名称:Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode. Part 3:Reverse voltage and reverse current
组织分类:SJ
中标分类:L53
ICS分类:31.080
标准分类:QT
发布日期:2015-10-10
实施日期:2016-04-01
作废日期:    -  -
代替标准:SJ 2658.3-1986
归口单位:工业和信息化部电子工业标准化研究院
起草单位:工业和信息化部电子工业标准化研究院
范围:本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)反向电压和反向电流的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。
文件格式:PDF
文件大小:2.07MB
文件页数:6
(以上信息更新时间为:2019-03-29)

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