SJ_T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法.pdf

标准号：SJ/T 11499-2015
实施状态：现行
中文名称：碳化硅单晶电学性能的测试方法
英文名称：Test method for measuring electrical properties of monocrystalline silicon carbide
组织分类：SJ
中标分类：H83
ICS分类：29.045
标准分类：QT
发布日期：2015-04-30
实施日期：2015-10-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所
范围：本标准规定了碳化硅晶体材料导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的测试方法。本标准适用于在(-263.15～426.85)℃温度范围内,电阻率在1×10^5Ωcm以下、晶型为6H和4H的碳化硅单晶的电学性能测试。
文件格式：PDF
文件大小：1.75MB
文件页数：12
（以上信息更新时间为：2019-03-31）

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