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SJ 50033_175-2007 半导体分立器件 3DA522型硅微波脉冲功率晶体管详细规范.pdf

 

SJ 50033/175-2007 半导体分立器件 3DA522型硅微波脉冲功率晶体管详细规范:
标准号：SJ 50033/175-2007
实施状态：现行
中文名称：半导体分立器件 3DA522型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
英文名称：Semiconductro discrete devices. Detail specification for type 3DA522 silicon microwave pulse power transistor
组织分类：SJ
中标分类：L42
ICS分类：31.080
标准分类：QT
发布日期：2008-01-24
实施日期：2008-02-01
被替代标准：
代替标准：
归口单位：信息产业部电子第四研究所
起草单位：信息产业部电子第四研究所
范围：本规范规定了3DA522型硅微波脉冲功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。按GJB 33A-1997中1.3的规定,提供的质量保证等级为普军级、特军级和超特军级,分别用字母JP、JT和JCT表示。
文件格式：PDF
文件大小：291.63KB
文件页数：11
（以上信息更新时间为：2019-04-17）

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