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SJ 50033_170-2007 半导体分立器件 3DA516型硅微波脉冲功率晶体管详细规范.pdf
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SJ 50033_170-2007 半导体分立器件 3DA516型硅微波脉冲功率晶体管详细规范.pdf
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资料大小: 314.81 KB
上传时间: 2010-06-09
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SJ 50033/170-2007 半导体分立器件 3DA516型硅微波脉冲功率晶体管详细规范:
标准号:
SJ 50033/170-2007
实施状态:
现行
中文名称:
半导体分立器件 3DA516型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
英文名称:
Semiconductro discrete devices. Detail specification for type 3DA516 silicon microwave pulse power transistor
组织分类:
SJ
中标分类:
L42
ICS分类:
31.080
标准分类:
QT
发布日期:
2008-01-24
实施日期:
2008-02-01
被替代标准:
代替标准:
归口单位:
信息产业部电子第四研究所
起草单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
范围:
本规范规定了3DA516型硅微波脉冲功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。按GJB 33A-1997中1.3的规定,提供的质量保证等级为普军级、特军级和超特军级,分别用字母JP、JT和JCT表示。
文件格式:
PDF
文件大小:
314.81KB
文件页数:
12
(以上信息更新时间为:2019-04-17)
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