标准号：GB/T 14146-2009
实施状态：现行
中文名称：硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
英文名称：Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
组织分类：GB
中标分类：H80
ICS分类：29.045
标准分类：CN
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
代替标准：GB/T 14146-1993
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
起草单位：南京国盛电子有限公司
范围：本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容-电压测量方法。本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽层的深度。本标准也可适用于硅抛光片的载流子浓度测量。
文件格式：PDF
文件大小：324.90KB
文件页数：9
（以上信息更新时间为：2019-04-13）
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GB_T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法.pdf
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