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SJ 2215.5-1982 半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法

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6 | 2010-8-25 14:14 | 显示全部楼层 |阅读模式

标准号：SJ 2215.5-1982
实施状态：已作废
中文名称：半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法
组织分类：SJ
中标分类：L54
标准分类：QT
发布日期：1982-11-30
实施日期：1983-07-01
作废日期：2015-10-01
被替代标准：SJ/T 2215-2015
归口单位：无
起草单位：无
范围：本标准适用于光耦合器的二极管反向击穿电压V(BR)的测试。
文件格式：PDF
文件大小：137.16KB
文件页数：1
（以上信息更新时间为：2019-05-12）

标准全文下载：

SJ 2215.5-1982 半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法.pdf (137.16 KB)

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SJ 2215.5-1982 半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法

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