标准号：SJ 20016-1992
实施状态：现行
中文名称：半导体分立器件 GP,GT和GCT级 3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范
英文名称：Semiconductor discrete device. Detail specification for PNP silicon low-power high-reverse-voltage transistor for types 3DG182 GP、GT and types GCT classes
发布日期：1992-02-01
实施日期：1992-05-01
被替代标准：
代替标准：
归口单位：中国电子技术标准化研究所
起草单位：中国电子技术标准化研究所
标准简介：本规范规定了3DG 182型NPN硅小功率高反压晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件均按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
文件格式：PDF
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文件页数：11
（以上信息更新时间为：2019-05-07）
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