标准号：GB/T 32282-2015
实施状态：现行
中文名称：氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法
英文名称：Test method for dislocation density of GaN single crystal. Cathodoluminescence spectroscopy
组织分类：GB
中标分类：H21
ICS分类：77.040
标准分类：CN
发布日期：2015-12-10
实施日期：2016-11-01
作废日期： - -
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会;全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
起草单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
范围：本标准规定了用阴极荧光显微镜法测试氮化镓单晶位错密度的方法。本标准适用于位错密度在1X10 3个/cm2～5X10 8个/cm2之间的氮化镓单晶中位错密度的测试。
文件格式：PDF
文件大小：482.78KB
文件页数：8
（以上信息更新时间为：2019-03-28）
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GB_T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法.pdf
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