标准号：SJ/T 2658.1-2015
实施状态：现行
中文名称：半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则
英文名称：Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode
. Part 1: General
组织分类：SJ
中标分类：L53
ICS分类：31.080
标准分类：QT
发布日期：2015-10-10
实施日期：2016-04-01
作废日期： - -
代替标准：SJ 2658.1-1986
归口单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院
起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院
范围：本部分规定了对半导体红外发射二极管进行光电参数测量的一般要求,包括测试仪表的误差范围、电源的性能要求以及测试环境条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。
文件格式：PDF
文件大小：2.03MB
文件页数：5
（以上信息更新时间为：2019-03-29）
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SJ_T 2658.1-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则.pdf
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