标准号：SJ/T 11498-2015
实施状态：现行
中文名称：重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
英文名称：Test method for measuring oxygen contamination in heavily doped silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
组织分类：SJ
中标分类：H82
ICS分类：29.045
标准分类：QT
发布日期：2015-04-30
实施日期：2015-10-01
作废日期： - -
归口单位：全国半导体设备与材料标准化技术委员会
起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心
范围：本标准规定了用二次离子质谱法(SINS)对重掺硅衬底单晶体中氧浓度总量的测试方法。本标准适用于硼、锑、砷、磷的掺杂浓度＜0.2%(1×1020at·cm-3)的硅材料。特别适用于电阻率在0.0012Ω·cm～1.0Ω·cm的p型硅材料和电阻率在0.008Ω· cm～0.2Ω·cm的ｎ型硅材料。
文件格式：PDF
文件大小：1.67MB
文件页数：12
（以上信息更新时间为：2019-03-31）
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