SJ_T 10482-1994 半导体中深能级的瞬态电容测试方法.pdf

标准号：SJ/T 10482-1994
实施状态：现行
中文名称：半导体中深能级的瞬态电容测试方法
英文名称：Test method for characterizing semiconductor deep levels by transient capacitance techniques
组织分类：SJ
中标分类：L11
标准分类：QT
发布日期：1994-04-11
实施日期：1994-10-01
采用标准：ASTM F978-90,NEQ
归口单位：电子工业部标准化研究所
起草单位：电子工业部第四十六研究所
范围：本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。本标准适用于测量硅、砷化嫁等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子A等参数。本标准适用于产生指数形式电容瞬态有关的深能级。
文件格式：PDF
文件大小：991.61KB
文件页数：6
（以上信息更新时间为：2019-05-05）

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