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SJ_T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法.pdf

 

SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法:
标准号:SJ/T 11586-2016
实施状态:现行
中文名称:半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法
英文名称:10keV X-ray total dose radiation testing method of semiconductor devices
发布日期:2016-01-15
实施日期:2016-06-01
归口单位:工业和信息化部电子工业标准化研究院
起草单位:工业和信息化部电子第五研究所
标准简介:本标准规定了使用X射线辐射源(平均能量约10 keV,最大能量不超过100 keV)对半导体器件(以下简称“器件”)进行总剂量电离辐照试验的方法和程序。本标准适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验。本标准不适用于双极器件和电路的低剂量率总剂量辐照试验。
文件格式:PDF
文件大小:7.25MB
文件页数:13
(以上信息更新时间为:2019-03-28)

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