标准号：SJ/T 11586-2016
实施状态：现行
中文名称：半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法
英文名称：10keV X-ray total dose radiation testing method of semiconductor devices
发布日期：2016-01-15
实施日期：2016-06-01
归口单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院
起草单位：工业和信息化部电子第五研究所
标准简介：本标准规定了使用X射线辐射源（平均能量约10 keV，最大能量不超过100 keV）对半导体器件（以下简称“器件”）进行总剂量电离辐照试验的方法和程序。本标准适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验。本标准不适用于双极器件和电路的低剂量率总剂量辐照试验。
文件格式：PDF
文件大小：7.25MB
文件页数：13
（以上信息更新时间为：2019-03-28）
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