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SJ_T 1486-2016 半导体分立器件 3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范.pdf

 

SJ/T 1486-2016 半导体分立器件 3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范:
标准号:SJ/T 1486-2016
实施状态:现行
中文名称:半导体分立器件 3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范
英文名称:Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3CG180 high frequency high voltage low power PNP silicon transistor
发布日期:2016-04-05
实施日期:2016-09-01
作废日期:    -  -
代替标准:SJ/T 1486-1979
归口单位:全国半导体器件标准化技术委员会
起草单位:济南市半导体元件实验所
标准简介:本标准适用于3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管。
文件格式:PDF
文件大小:5.79MB
文件页数:12
(以上信息更新时间为:2019-03-27)

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