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SJ/T 1486-2016 半导体分立器件 3CG180型硅ＰＮＰ高频高反压小功率晶体管详细规范

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查看4355 | 回复2 | 2016-3-31 20:03 | 显示全部楼层 |阅读模式
标准号：SJ/T 1486-2016
实施状态：现行
中文名称：半导体分立器件 3CG180型硅ＰＮＰ高频高反压小功率晶体管详细规范
英文名称：Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3CG180 high frequency high voltage low power PNP silicon transistor
发布日期：2016-04-05
实施日期：2016-09-01
作废日期：    -  -
代替标准：SJ/T 1486-1979
归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会
起草单位：济南市半导体元件实验所
标准简介：本标准适用于3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管。
文件格式：PDF
文件大小：5.79MB
文件页数：12
（以上信息更新时间为：2019-03-27）

标准全文下载：
SJ_T 1486-2016 半导体分立器件 3CG180型硅ＰＮＰ高频高反压小功率晶体管详细规范.pdf (5.79 MB)
14862016, 半导体, 分立器件, 高频, 反压

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