麦田学社 下载中心 EN 60749-11-2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第11部分_温度的急速变化.双液电镀槽法 IEC 60749-11-2002;部分替代 EN 60749_1999+A1-2000+A2-2001.pdf

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EN 60749-11-2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第11部分_温度的急速变化.双液电镀槽法 IEC 60749-11-2002;部分替代 EN 60749_1999+A1-2000+A2-2001.pdf

 

EN 60749-11-2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第11部分:温度的急速变化.双液电镀槽法 IEC 60749-11-2002;部分替代 EN 60749:1999+A1-2000+A2-2001:
标准号:EN 60749-11-2002
实施状态:现行
中文名称:半导体器件.机械和气候试验方法.第11部分:温度的急速变化.双液电镀槽法 IEC 60749-11-2002;部分替代 EN 60749:1999+A1-2000+A2-2001
英文名称:Semiconductor Devices  Mechanical and Climatic Test Methods Part 11: Rapid Change of Temperature  Two-Fluid-Bath Method
发布日期:2002-08-01
文件格式:PDF
文件大小:431.25KB
文件页数:12
(以上信息更新时间为:2019-11-30)



文档语言及版本参照下方封面截图:
EN 60749-11-2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第11部分:温度的急速变化.双液电镀槽法 IEC 60749-11-2002;部分替代 EN 60749:1999+A1-2000+A2-2001
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