IEC 62373-2006 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验.pdf

标准号：IEC 62373-2006
实施状态：现行
中文名称：金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
英文名称：Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)
发布日期：2006-07
代替标准：IEC 47/1862/FDIS-2006
采用标准：DIN EN 62373-2007,IDT;BS EN 62373-2006,IDT;EN 62373-2006,IDT;NF C96-051-2006,IDT;OEVE/OENORM EN 62373-2007,IDTN-EN 62373-2006,IDT
起草单位：IEC/TC 47
标准简介：This International Standard provides a test procedure for a bias-temperature (BT) stability test
of metal-oxide semiconductor, field-effect transistors (MOSFET).
文件格式：PDF
文件大小：544.20KB
文件页数：36
（以上信息更新时间为：2019-11-25）



文档语言及版本参照下方封面截图：