IEC 62373-2006 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验

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标准号:IEC 62373-2006
实施状态:现行
中文名称:金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
英文名称:Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)
发布日期:2006-07
代替标准:IEC 47/1862/FDIS-2006
采用标准:DIN EN 62373-2007,IDT;BS EN 62373-2006,IDT;EN 62373-2006,IDT;NF C96-051-2006,IDT;OEVE/OENORM EN 62373-2007,IDT;PN-EN 62373-2006,IDT
起草单位:IEC/TC 47
标准简介:This International Standard provides a test procedure for a bias-temperature (BT) stability test
of metal-oxide semiconductor, field-effect transistors (MOSFET).
文件格式:PDF
文件大小:544.20KB
文件页数:36
(以上信息更新时间为:2019-11-25)

IEC 62373-2006 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验.pdf (544.2 KB)

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