标准号：GB/T 30867-2014
实施状态：现行
中文名称：碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
英文名称：Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
组织分类：GB
中标分类：H83
ICS分类：29.045
标准分类：CN
发布日期：2014-07-24
实施日期：2015-02-01
作废日期： - -
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会;全国半导体设备及材料分技术委员会
起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所
范围：本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法,包括接触式和非接触式两种方式。本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm～1 mm的碳化硅单晶片。
文件格式：PDF
文件大小：170.53KB
文件页数：7
（以上信息更新时间为：2019-04-03）
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