标准号：GB/T 14863-2013
实施状态：已作废
中文名称：用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
英文名称：Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
组织分类：GB
中标分类：H80
ICS分类：29.045
标准分类：CN
发布日期：2013-12-31
实施日期：2014-08-15
作废日期：2017-12-15
代替标准：GB/T 14863-1993
归口单位：中国电子技术标准化研究院
起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心
范围：本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录A)相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。
文件格式：PDF
文件大小：416.88KB
文件页数：14
（以上信息更新时间为：2019-04-04）
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GB_T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法.pdf
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