标准号：YS/T 839-2012
实施状态：现行
中文名称：硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法
英文名称：Test method for measurement of insulator thickness and refractive index on silicon substrates by ellipsometry
组织分类：YS
中标分类：H68
ICS分类：77.120.99
标准分类：QT
发布日期：2012-11-07
实施日期：2013-03-01
归口单位：全国有色金属标准化技术委员会
起草单位：中国计量科学研究院
范围：本方法规定了用椭圆偏振测试方法测量生长或沉积在硅衬底上的绝缘体薄膜厚度及折射率的方法。本方法适用于薄膜对测试波长没有吸收和衬底对测试波长处不透光、且已知测试波长处衬底折射率和消光系数的绝缘体薄膜厚度及折射率的测量。对于非绝缘体薄膜,满足一定条件时,方可采用本方法。
文件格式：PDF
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文件页数：11
（以上信息更新时间为：2019-04-07）
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