标准号：GB/T 14141-2009
实施状态：现行
中文名称：硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
英文名称：Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
组织分类：GB
中标分类：H80
ICS分类：29.045
标准分类：CN
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
代替标准：GB/T 14141-1993
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
起草单位：宁波立立电子股份有限公司
范围：本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。
文件格式：PDF
文件大小：354.67KB
文件页数：10
（以上信息更新时间为：2019-04-13）
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GB_T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法.pdf
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