标准号：GB/T 24574-2009
实施状态：现行
中文名称：硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
英文名称：Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities
组织分类：GB
中标分类：H80
ICS分类：29.045
标准分类：CN
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
采用标准：SEMI MF1389-0704,MOD
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心
范围：本标准规定了硅单品中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。本标准用于检测单品硅中含量为1×10^(11)at·cm^(-3)～5×10^(15)at·cm^(-3)的各种电活性杂质元素。
文件格式：PDF
文件大小：488.62KB
文件页数：12
（以上信息更新时间为：2019-04-13）
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GB_T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法.pdf
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