标准号：GB/T 24580-2009
实施状态：现行
中文名称：重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
英文名称：Test method for measuring Boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
组织分类：GB
中标分类：H80
ICS分类：29.045
标准分类：CN
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
采用标准：SEMI MF1528-1104,MOD
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心
范围：本标准规定了重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法。本标准适用于二次离子质谱法(SIMS)对重掺n型硅衬底单晶体材料中痕量棚沾污(总量)的测试。本标准适用于对锑、砷、磷的掺杂浓度<0.2%(1×10^20atoms/cm^3)的硅材料中硼浓度的检测。特别适用于棚为非故意掺杂的p型杂质,且其浓度为痕最水平(<5×10^14 atoms/cm^3)的硅材料的测试。本标准适用于检测棚沾污浓度大于SIMS仪器检测限(根据仪器的型号不同,检测限大约在5×10^12 atoms/cm^3～5×10^13 atoms/cm^3 ) 两倍的硅材料。原则上,本标准对于不同表面情况的样品都适用,但是本标准中的精度估算值是从表面抛光样品的测试数据中得到的。
文件格式：PDF
文件大小：348.99KB
文件页数：10
（以上信息更新时间为：2019-04-13）
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GB_T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法.pdf
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