标准号：GB/T 24581-2009
实施状态：现行
中文名称：低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
英文名称：Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
组织分类：GB
中标分类：H80
ICS分类：29.045
标准分类：CN
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
采用标准：SEMI MF1630-0704,IDT
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
起草单位：四川新光硅业科技有限责任公司
范围：本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B) 、磷(P) 、砷(As) 、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10^(-9)～5.O×10^(-9))a。每种杂质或掺杂剂的浓度可由比耳定律得到,并给出了对每个元素的校准因子。
文件格式：PDF
文件大小：389.08KB
文件页数：10
（以上信息更新时间为：2019-04-13）
标准全文下载：
GB_T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法.pdf
(389.08 KB)
|
|
