标准号：GB/T 4058-2009
实施状态：现行
中文名称：硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
英文名称：Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers
组织分类：GB
中标分类：H80
ICS分类：29.045
标准分类：CN
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
代替标准：GB/T 4058-1995
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
起草单位：峨媚半导体材料厂
范围：本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测。硅单晶氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法。
文件格式：PDF
文件大小：1.24MB
文件页数：19
（以上信息更新时间为：2019-04-13）
标准全文下载：
GB_T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法.pdf
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