标准号：GB/T 6621-2009
实施状态：现行
中文名称：硅片表面平整度测试方法
英文名称：Testing methods for surface flatness of silicon slices
组织分类：GB
中标分类：H80
ICS分类：29.045
标准分类：CN
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
代替标准：GB/T 6621-1995
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
起草单位：上海合晶硅材料有限公司
范围：本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此方法。本标准适用于测量标准直径76mm、100mm、125mm、150mm、200mm,电阻率不大于200Ω·cm厚度不大于1000μm的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。
文件格式：PDF
文件大小：168.53KB
文件页数：6
（以上信息更新时间为：2019-04-13）
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GB_T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法.pdf
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