标准号：GB/T 1557-2006
实施状态：现行
中文名称：硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
英文名称：The method of determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption
组织分类：GB
中标分类：H17
ICS分类：77.040.01
标准分类：CN
发布日期：2006-07-18
实施日期：2006-11-01
作废日期：2019-06-01
被替代标准：GB/T 1557-2018
代替标准：GB/T 1557-1989;GB/T 14143-1993
采用标准：ASTM F1188-2000,MOD
归口单位：全国有色金属标准化技术委员
起草单位：峨眉半导体材料厂
范围：本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶中的间隙氧含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm单晶中间隙氧含量的侧量。本标准测量氧含量的有效范围从1×10(16次方)at· 平方厘米到硅中间隙氧的最大固溶度。
文件格式：PDF
文件大小：328.78KB
文件页数：8
（以上信息更新时间为：2019-04-19）
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GB_T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法.pdf
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