标准号：GB/T 13389-1992
实施状态：已作废
中文名称：掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
英文名称：Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon
组织分类：GB
中标分类：H21
ICS分类：29.040.30
标准分类：CN
发布日期：1992-02-19
实施日期：1992-10-01
作废日期：2015-09-01
被替代标准：GB/T 13389-2014
采用标准：ASTM F723,MOD
归口单位：无
起草单位：峨嵋半导体材料研究所
范围：本标准规定了23℃时掺硼掺磷硅单晶电阻率和掺杂剂浓度间的换算方法。本标准适用于掺杂剂浓度10^1^2～10^2^1cm^-^3(电阻率0.0001～10,000Ω·cm)掺硼硅单晶和10^1^2～5×10^2^0cm^-^3(电阻率0.0002～4,000Ω·cm)掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度的换算,也可扩展到硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。
文件格式：PDF
文件大小：787.31KB
文件页数：19
（以上信息更新时间为：2019-05-07）
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GB_T 13389-1992 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程.pdf
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