标准号：SJ 20636-1997
实施状态：现行
中文名称：IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法
英文名称：Test method for oxygen and carbon contents of large diameter thin silicon wafer in microzone for use in IC
组织分类：SJ
中标分类：H81
标准分类：QT
发布日期：1997-06-17
实施日期：1997-10-01
被替代标准：
代替标准：
归口单位：中国电子技术标准化研究所
起草单位：电子工业部第四十六研究所
范围：本标准规定了厚度为O.3～2.0mm的硅晶片中间隙氧含量微区径向分布和替位碳含量微区测量方法。本标准通用于室温电阻率在大于0.1Ωcm的硅晶片中间隙氧含最微区径向分布和替位碳含量微区测定。测量范围,对于间隙氧含量为3.0×10^(16)at.cm^(-3)至间隙氧在硅中最大固溶度;对于替位碳含最为5.0×10^(15)at.cm^(-3)至替位碳在硅中最大固溶度。
文件格式：PDF
文件大小：1.24MB
文件页数：9
（以上信息更新时间为：2019-05-02）
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