SJ 20635-1997 半绝缘砷化镓剩余杂质浓度微区试验方法

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标准号：SJ 20635-1997
实施状态：现行
中文名称：半绝缘砷化镓剩余杂质浓度微区试验方法
英文名称：Test method for residual impurities concentration in microzone of semi-insulating gallium arsenide
组织分类：SJ
中标分类：H83
ICS分类：31.260
标准分类：QT
发布日期：1997-06-17
实施日期：1997-10-01
归口单位：中国电子技术标准化研究所
起草单位：电子工业部第四十六研究所
范围：本标准规定了厚度为0.4～2.0mm的半绝缘砷化镓晶片中碳、EL2、铬和硅浓度的微区测量方法。本标准适用于半绝缘砷化镓晶片中主要剩余杂质碳、EL2、铬和硅浓度的测定。
文件格式：PDF
文件大小：2.21MB
文件页数：14
（以上信息更新时间为：2019-05-02）

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SJ 20635-1997 半绝缘砷化镓剩余杂质浓度微区试验方法

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