SJ 20067-1992 半导体分立器件 2CZ30型硅整流二极管详细规范

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标准号:SJ 20067-1992
实施状态:现行
中文名称:半导体分立器件 2CZ30型硅整流二极管详细规范
英文名称:Semiconductor discrete device. Detail specification for type 2CZ30 silicon rectifier diode
组织分类:SJ
中标分类:L43
标准分类:QT
发布日期:1992-11-19
实施日期:1993-05-01
被替代标准:
代替标准:
归口单位:中国电子技术标准化研究所
起草单位:国营八七三厂
范围:本规范规定了2CZ30型硅整流二极管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证三个等级(GP、GT和GCT级)。
文件格式:PDF
文件大小:1.19MB
文件页数:8
(以上信息更新时间为:2019-05-07)

标准全文下载:
SJ 20067-1992 半导体分立器件 2CZ30型硅整流二极管详细规范.pdf (1.19 MB)

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