标准号：SJ 21441-2018
实施状态：现行
中文名称：SiC-HPSI型高纯半绝缘碳化硅单晶片规范
英文名称：Specification for high purity semi-insulating silicon carbide monocrystalline wafers of SiC-HPSI
发布日期：2018-01-18
实施日期：2018-05-01
归口单位：工业和信息化部电子第四研究院
起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所
文件格式：PDF
文件大小：2.96MB
文件页数：25
（以上信息更新时间为：2020-03-13）
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SJ 21441-2018 SiC-HPSI型高纯半绝缘碳化硅单晶片规范.pdf
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