标准号：SJ 58119/2-2018
实施状态：现行
中文名称：半导体光电子器件 GD3562T型铟镓砷光电二极管详细规范
英文名称：Semiconductor optoelectronic devices.Detail specification for InGaAs photodiode of GD3562T
发布日期：2018-01-18
实施日期：2018-05-01
归口单位：工业和信息化部电子第四研究院
起草单位：工业和信息化部电子第四研究院;中国电子科技集团公司第四十四研究所;成都理邦系统工程有限公司
文件格式：PDF
文件大小：4.51MB
文件页数：18
（以上信息更新时间为：2020-03-13）
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SJ 58119_2-2018 半导体光电子器件 GD3562T型铟镓砷光电二极管详细规范.pdf
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