标准号：SJ 21120-2016
实施状态：现行
中文名称：高电子迁移率晶体管用半绝缘砷化镓抛光片规范
英文名称：Specification for semi-insulating gallium arsenide polished wafers for high electron mobility transistor
发布日期：2016-01-19
实施日期：2016-03-01
归口单位：工业和信息化部电子第四研究院
起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所
文件格式：PDF
文件大小：6.83MB
文件页数：19
（以上信息更新时间为：2020-03-13）
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SJ 21120-2016 高电子迁移率晶体管用半绝缘砷化镓抛光片规范.pdf
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