标准号：IEC 60747-2-1-1989
实施状态：作废
中文名称：半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第1节:电流在100A以下环境和外壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
英文名称：Semiconductor devices; discrete devices; part 2: rectifier diodes; section one: blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, up to 100 A
发布日期：1989-04
采用标准：BS QC 750108-1990,IDT;SEV-ASE 3608-2-1-1990,IDT;DS/IEC 747-2-1(/DEK),IDT
起草单位：IEC/TC 47
标准简介：The blank detail specification described includes mechanical description, categories of assessed quality, limiting values, electrical characteristics, marking, ordering information, test conditions and inspection requirements.
文件格式：PDF
文件大小：1.00MB
文件页数：28
（以上信息更新时间为：2019-11-25）
IEC 60747-2-1-1989 半导体器件 分立器件 第2部分_整流二极管 第1节_电流在100A以下环境和外壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范.pdf
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