IEC 60747-6-1-1989 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第1节:电流在100A以下的环境和外壳额定的反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范

[复制链接]
查看10758 | 回复5 | 2018-8-23 14:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
标准号:IEC 60747-6-1-1989
实施状态:作废
中文名称:半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第1节:电流在100A以下的环境和外壳额定的反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
英文名称:Semiconductor devices; discrete devices; part 6: thyristors; section one: blank detail specification for reverse blocking triode thyristors, ambient and case-rated, up to 100 A
发布日期:1989-04
采用标准:BS QC 750110-1990,IDT;UTE C96-080U-1989,IDT;SEV-ASE 3608-6-1-1990,IDT;DS/IEC 747-6-1(/DEK),IDT
起草单位:IEC/TC 47
标准简介:The blank detail specification described is one of a series of blank detail specifications, and shall be used in conjunction with the following Publications: IEC 747-10 and IEC 747-11.
文件格式:PDF
文件大小:1.12MB
文件页数:30
(以上信息更新时间为:2019-11-25)

IEC 60747-6-1-1989 半导体器件 分立器件 第6部分_晶闸管 第1节_电流在100A以下的环境和外壳额定的反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范.pdf (1.12 MB)

使用道具 举报