标准号：ISO 17560-2002
实施状态：作废
中文名称：表面化学分析.再生离子质量的光谱测定.硅中硼的深仿形方法
英文名称：Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Method for depth profiling of boron in silicon
发布日期：2002-07
被替代标准：ISO 17560-2014
代替标准：ISO/DIS 17560-2001
采用标准：BS ISO 17560-2002,IDT;NF X21-051-2006,IDT;X21-051PR,IDT;JIS K 0164-2010,MOD
起草单位：ISO/TC 201
标准简介：This International Standard specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of boron in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth scale calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal or amorphous-silicon specimens with boron atomic concentrations between 1 × 10<up16> atoms/cm<up3> and 1×10<up20> atoms/cm<up3>, and to crater depths of 50 nm or deeper.
文件格式：PDF
文件大小：341.14KB
文件页数：18
（以上信息更新时间为：2019-11-23）
ISO 17560-2002 表面化学分析.再生离子质量的光谱测定.硅中硼的深仿形方法.pdf
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