[国家标准] GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法

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查看9499 | 回复2 | 2021-6-22 11:54:27 | 显示全部楼层 |阅读模式
本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法。本文件适用于硅单晶电阻率的测试,其中直排四探针法可测试的P型硅单晶电阻率范围为7×10-4Ω·cm~8 × 103Ω·cm,n型硅单晶电阻率范围为7×10-4Ω·cm~1.5 × 104Ω·cm;直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率,测试范围为1×10-3Ω·cm~1 × 104Ω·cm,样品长度与截面最大尺寸之比不小于3:1。硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行。

标准编号:GB/T 1551-2021
中文名称:硅单晶电阻率的测定  直排四探针法和直流两探针法
英文名称:Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon- In-line four-point probe and direct current two-point probe method
发布日期:2021-05-21
实施日期:2021-12-01
代替标准:GB/T 1551-2009
引用标准:GB/T 1550;GB/T 14264
提出单位:全国半导体设备与材料标准化技术委员会;全国半导体设备与材料标准 化技术委员会材料分技术委员会
全文页数:25


标准全文下载:
GB_T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法.pdf (1.92 MB)
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whg | 昨天 06:30 | 显示全部楼层
很清晰 谢谢
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d_EHwLtf0c | 昨天 08:02 | 显示全部楼层
感謝分享!
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