本文件描述了采用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧含量的方法。本文件适用于室温电阻率大于1Ω•cm的n型硅单晶和室温电阻率大于3Ω•cm的p型硅单晶中代位碳、间隙氧含量的测定，测定范围（以原子数计）为2.5×10<sup>14</sup> cm<sup>-3</sup>～1.5×10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup>。
标准编号：GB/T 35306-2023
中文名称：硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法
英文名称：Determination of carbon and oxygen content in single crystal silicon—Low temperature fourier transform infrared spectrometry method
发布日期：2023-08-06
实施日期：2024-03-01
代替标准：GB/T 35306-2017
引用标准：GB/T 8170;GB/T 8322;GB/T 14264;GB/T 29057
提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
全文页数：8
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GB_T 35306-2023 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法.pdf
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