GB/T 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试红外反射法

显示全部楼层 · 2024-1-15 15:21

本文件描述了采用红外反射法测试碳化硅外延层厚度的方法。本文件适用于n型掺杂浓度大于1×1018cm-3的碳化硅衬底上同质参杂浓度小于1×1016cm-3的同质碳化硅外延层厚度的测试，测试范围为3um~200um。

标准编号：GB/T 42905-2023
中文名称：碳化硅外延层厚度的测试红外反射法
英文名称：Test method for thickness of silicon carbide epitaxial layer—Infrared reflectance method
发布日期：2023-08-06
实施日期：2024-03-01
引用标准：GB/T 6379.2;GB/T 14264
提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
全文页数：8

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