[国家标准] GB/T 42974-2023 半导体集成电路快闪存储器（FLASH）

2540 |

0 | 2024-1-17 14:41 | 显示全部楼层 |阅读模式

本文件规定了快闪存储器(FLASH)的分类、技术要求、电测试方法和检验规则。本文件适用于FLASH的设计、制造、采购、验收。

标准编号：GB/T 42974-2023
中文名称：半导体集成电路快闪存储器（FLASH）
英文名称：Semiconductor integrated circuits—Flash memory(FLASH)
发布日期：2023-09-07
实施日期：2024-01-01
引用标准：GB/T 191;GB/T 4937.3;GB/T 4937.4;GB/T 4937.11;GB/T 4937.13;GB/T 4937.14;GB/T 4937.15;GB/T 4937.21;GB/T 4937.23;GB/T 4937.26;GB/T 4937.27;GB/T 9178;GB/T 12750;GB/T 17574-1998;GB/T 35003;GB/T 36477-2018;IEC 60749-6;IEC 60749-8;IEC 60749-9;IEC 60749-24;IEC 60749-28;IEC 60749-36
全文页数：17

标准全文下载：

GB_T 42974-2023 半导体集成电路快闪存储器（FLASH）.pdf (1.36 MB)

存储, 导体, 快闪, 集成

[国家标准] GB/T 42974-2023 半导体集成电路 快闪存储器（FLASH）

相关帖子

[国家标准] GB/T 42974-2023 半导体集成电路快闪存储器（FLASH）