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DB35/T 1370-2013 发光二极管芯片点测方法
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DB35/T 1370-2013 发光二极管芯片点测方法
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2025-4-12 17:44
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标准号:
DB35/T 1370-2013
中文名称:
发光二极管芯片点测方法
适用地区:
福建省
行业分类:
信息传输、软件和信息技术服务业
发布日期:
2013-12-04
实施日期:
2014-03-01
归口单位:
省信息化局
起草单位:
厦门市三安光电科技有限公司、厦门市产品质量监督检验院、福建省光电行业协会、国家半导体发光器件(LED)应用产品质量监督检验中心
发布单位:
福建省质量技术监督局
标准简介:
本标准规定了发光二极管芯片(以下简称芯片)的点测条件和点测方法。 本标准适用于可见光发光二极管芯片光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测。紫外光、红 外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。 本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。
文件格式:
PDF
文件大小:
389.95KB
文件页数:
12
标准全文下载:
DB35_T 1370-2013 发光二极管芯片点测方法.pdf
(389.95 KB)
2025-4-12 17:44 上传
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