标准号：GB/T 19444-2004
实施状态：现行
中文名称：硅片氧沉淀特性的测定—间隙氧含量减少法
英文名称：Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction
组织分类：GB
中标分类：H26
ICS分类：29.040.01
标准分类：CN
发布日期：2004-02-05
实施日期：2004-07-01
被替代标准：
代替标准：
采用标准：ASTM F1239-1994,IDT
归口单位：全国有色金属标准化技术委员会
起草单位：洛阳单晶硅有限责任公司
范围：本标准规定了由测量硅片间隙氧含量的减少量来检验硅片氧沉淀特性的方法原理、取样规则、热处理程序、试验步骤、数据计算等内容。本标准用于定性比较两批或多批集成电路用硅片间隙氧沉淀特性。
文件格式：PDF
文件大小：256.54KB
文件页数：7
（以上信息更新时间为：2019-04-22）
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