SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法

显示全部楼层 · 2010-9-22 18:25

标准号：SJ 20858-2002
实施状态：现行
中文名称：碳化硅单晶材料电学参数测试方法
英文名称：Measuring methods for electrical parameters of silicon carbide single crystal material
组织分类：SJ
中标分类：H82
标准分类：QT
发布日期：2002-12-12
实施日期：2003-05-01
被替代标准：
代替标准：
归口单位：信息产业部电子第四研究所
起草单位：信息产业部电子第四十六研究所
范围：本标准规定了碳化硅单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测试方法。本标准适用于温度在20℃～700℃范围内的4H-SiC、6H-SiC等低阻碳化硅体单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测量。
文件格式：PDF
文件大小：379.81KB
文件页数：9
（以上信息更新时间为：2019-04-23）

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SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法

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