标准号：GB/T 34900-2017
实施状态：现行
中文名称：微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法
英文名称：Micro-electromechanical system technology. Measuring method for residual strain measurements of MEMS microstructures using an optical interferometer
组织分类：GB
中标分类：L55
ICS分类：31.200
标准分类：CN
发布日期：2017-11-01
实施日期：2018-05-01
归口单位：全国微机电技术标准化技术委员会
起草单位：天津大学
范围：本标准规定了基于光学干涉显微镜获取的微双端固支梁结构表面形貌进行残余应变测量的方法。本标准适用于表面反射率不低于4%且使用光学干涉显微镜能够获取表面形貌的微双端固支梁结构。
文件格式：PDF
文件大小：2.07MB
文件页数：15
（以上信息更新时间为：2019-03-22）
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GB_T 34900-2017 微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法.pdf
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